二零二零年十二月，合肥晶合集成电路股份有限公司（以下简称“晶合集成”）与矽成积体电路股份有限公司(以下简称“ISSI”)、成都锐成芯微科技股份有限公司（以下简称“锐成芯微”）联合推出110nm-ALMCU 全渠道解决计划（图1）。该渠道为晶合集成“显像微电”（显现器驱动、图画传感、微操控器、电源办理）四大特征工艺中重要的“微”一环。
嵌入式闪存(110LP-eFlash)：根据110低功耗逻辑工艺的嵌入式闪存渠道。面向容量介于16KB/32KB-256KB，擦写次数大于100K次的MCU使用。选用ISSI第二代架构 2T-pFlash (pFusion®的记忆体模块，调配锐成芯微的全套低功耗模仿IP计划
1）NVM：ISSIpFusion®第二代架构。在第一代架构低功耗、高速度、高抗搅扰才能及高可靠性的基础上，明显提高可靠性的工艺窗口（图2），特别适用于高可靠性需求的工规及车规使用；客制化的pFusion®模块答应一起存在不同巨细的擦除区块，提高体系配置弹性，满意客戶多种使用场景需求。
2）模仿IP：锐成芯微的全套低功耗模仿IP计划具有杰出的静态功耗(nA级)，极大降低了芯片在待机方式下的全体功耗。在功耗、功能和本钱上完成极佳平衡，能够广泛使用於MCU、smart card，wireless、power meters以及车规体系。二零二零年晶合集成成功导入多家嵌入式闪存客户产品验证并于十二月进入投片量产。
MTP(110LP-MTP)：根据110低功耗逻辑工艺的MTP（Multiple-TimeProgramming）渠道。面向容量1KB-16KB/32KB，擦写次数介于10次-10K次的MCU使用。锐成芯微的LogicFlash®K次高温数据保存大于10年,高速读写及低芯片测验本钱等优势，满意低本钱高功能MCU的使用需求，可广泛使用于工业和家电类产品，例如锂电池供电的物联网、智能家居、智能穿戴类使用。现在现已成功导入客户并进入投片量产。
晶合集成的110nm全铝后段12寸出产线可为客户在MCU及低功耗SOC产品供给更具市场竞争力的代工事务和更优质的技能服务。为了更好满意客户产品日益增长的更新迭代需求，到2022年，晶合集成还将在55nm逻辑工艺基础上推出55nm嵌入式闪存工艺渠道，进一步为客户供给128KB-1MB高功能MCU渠道解决计划。
关于合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司（简称“晶合集成”）成立于2015年5月，专心于半导体晶圆出产代工服务。到二零二零年十一月产能打破3万片/月，完成了在手机面板驱动芯片代工范畴抢先的方针。晶合集成初期的主要产品为面板驱动芯片，后续将以客户需求为导向，结合平板显现、轿车电子、家用电器、工业操控、人工智能、物联网等工业发展趋势，进一步拓宽微操控器(MCU)、CMOS图画传感器(CIS)、电源办理、人工智能物联网(AIoT)等不同使用范畴芯片代工，矢志成为我国最杰出的集成电路专业制作公司之一。
关于矽成积体电路股份有限公司
矽成积体电路股份有限公司（简称“ISSI”）成立于1988年，是一家技能抢先的集成电路规划企业。公司专心于轿车电子、网络通信、工控医疗及数字消费电子四个范畴，为此规划开发高功能IC芯片,主要产品包含DRAM、SRAM、FLASH及混合模仿信号产品。除此之外，矽成也具有独当一面研制的embedded flash（pFusion）智财权（IP），透过技能授权于各大芯片代工厂及规划公司，量产工艺从180nm到55nm，累计的出货片数远大于一百万片晶圆；以第三方的e-flash IP 来说，现在是归于世界抢先的供货商之一。
关于成都锐成芯微科技股份有限公司
锐成芯微成立于2011年，是一家专心于集成电路IP核技能研制及服务的国家高新技能企业，总部坐落成都，在国内多地设有分支机构。锐成芯微是国内抢先的一起具有超低功耗模仿IP技能、高可靠性嵌入式存储IP技能、高功能RF技能和高速数据传输IP技能的企业，现在已与国内外20多家晶圆代工厂展开协作，产品掩盖从14/16nm到180nm的CMOS, BiCMOS, BCD, SiGe, HV，FinFET，FD-SOI等几十个工艺制程，累计开发IP 500多项，国内外申请专利超200件，服务全球300多家集成电路规划企业，产品广泛使用于物联网、智能家居、轿车电子、才智电源、可穿戴、医疗电子、工业操控等范畴。